CZ सिलिकन वेफर

विवरण

CZ एकल क्रिस्टल सिलिकन वेफर Czochralski CZ ग्रोथ विधिद्वारा तानिएको एकल क्रिस्टल सिलिकन इन्गटबाट काटिएको छ, जुन सेमीकन्डक्टर उपकरणहरू बनाउन इलेक्ट्रोनिक्स उद्योगमा प्रयोग हुने ठूला बेलनाकार इन्गटहरूको सिलिकन क्रिस्टल वृद्धिको लागि सबैभन्दा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।यस प्रक्रियामा, सटीक अभिमुखीकरण सहिष्णुताको साथ क्रिस्टल सिलिकनको पातलो बीज सिलिकनको पिघलाएको बाथमा प्रस्तुत गरिन्छ जसको तापक्रम ठीकसँग नियन्त्रण गरिन्छ।बीज क्रिस्टल बिस्तारै धेरै नियन्त्रित दरमा पिघलबाट माथि तानिन्छ, तरल चरणबाट परमाणुहरूको क्रिस्टलीय घनत्व एक इन्टरफेसमा हुन्छ, बीज क्रिस्टल र क्रूसिबल यस निकासी प्रक्रियाको क्रममा विपरीत दिशाहरूमा घुमाइन्छ, ठूलो एकल सिर्जना गर्दछ। क्रिस्टल सिलिकन बीजको सही क्रिस्टलीय संरचना संग।

मानक CZ इन्गट पुलिङमा लागू गरिएको चुम्बकीय क्षेत्रको लागि धन्यवाद, चुम्बकीय क्षेत्र-प्रेरित Czochralski MCZ एकल क्रिस्टल सिलिकन तुलनात्मक रूपमा कम अशुद्धता एकाग्रता, कम अक्सिजन स्तर र विस्थापन, र समान प्रतिरोधात्मक भिन्नता हो जसले उच्च प्रविधि इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू र उपकरणहरूमा राम्रो प्रदर्शन गर्दछ। इलेक्ट्रोनिक वा फोटोभोल्टिक उद्योगहरूमा निर्माण।

डेलिभरी

पश्चिमी Minmetals (SC) कर्पोरेशनमा CZ वा MCZ सिंगल क्रिस्टल सिलिकन वेफर n-प्रकार र p-प्रकार चालकता 2, 3, 4, 6, 8 र 12 इन्च व्यास (50, 75, 100, 125, 150, 200 र 300mm), ओरिएन्टेसन <100>, <110>, <111> फोम बक्सको प्याकेजमा ल्याप्ड, इचेड र पालिश गरिएको सतह फिनिश वा कार्टन बक्स बाहिर क्यासेट।

अब सोधपुछ

विवरणहरू

ट्यागहरू

प्राविधिक विशिष्टता

CZ सिलिकन वेफर

CZ एकल क्रिस्टल सिलिकन वेफर सबै प्रकारका इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू र अर्धचालक उपकरणहरूमा प्रयोग हुने एकीकृत सर्किटहरू, डायोडहरू, ट्रान्जिस्टरहरू, अलग-अलग कम्पोनेन्टहरू, साथै एपिटेक्सियल प्रशोधनमा सब्सट्रेट, SOI वेफर सब्सट्रेट वा अर्ध-इन्सुलेट कम्पाउन्ड वेफर निर्माणमा प्रयोग हुने आधारभूत सामग्री हो। 200mm, 250mm र 300mm को व्यास अल्ट्रा उच्च एकीकृत उपकरणहरू निर्माणको लागि इष्टतम हो।एकल क्रिस्टल सिलिकन पनि फोटोभोल्टिक उद्योग द्वारा ठूलो मात्रामा सौर्य कक्षहरूको लागि प्रयोग गरिन्छ, जुन लगभग पूर्ण क्रिस्टल संरचनाले उच्चतम प्रकाश-देखि-बिजुली रूपान्तरण दक्षता उत्पादन गर्दछ।

छैन।	वस्तुहरू	मानक विशिष्टता
1	साइज	2"	3"	4"	6"	8"	१२"
2	व्यास मिमी	५०.८±०.३	७६.२±०.३	१००±०.५	150±0.5	200±0.5	३००±०.५
3	चालकता	P वा N वा अन-डोप गरिएको
4	अभिमुखीकरण	<100>, <110>, <111>
5	मोटाई μm	२७९, ३८१, ४२५, ५२५, ५७५, ६२५, ६७५, ७२५ वा आवश्यकता अनुसार
6	प्रतिरोधात्मकता Ω-सेमी	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 आदि
7	RRV अधिकतम	८%, १०%, १२%
8	प्राथमिक फ्ल्याट/लम्बाइ मिमी	SEMI मानक वा आवश्यकता अनुसार
9	माध्यमिक समतल/लम्बाइ मिमी	SEMI मानक वा आवश्यकता अनुसार
10	TTV μm अधिकतम	10	10	10	10	10	10
11	बो र वार्प μm अधिकतम	30	30	30	30	30	30
12	सतह समाप्त	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	प्याकिङ	फोम बक्स वा क्यासेट भित्र, कार्टन बक्स बाहिर।

प्रतीक	Si
परमाणु संख्या	14
परमाणु वजन	२८.०९
तत्व कोटि	मेटालोइड
समूह, अवधि, ब्लक	14, 3, P
क्रिस्टल संरचना	हीरा
रङ	गाढा खैरो
पग्लिने बिन्दु	1414°C, 1687.15 K
उम्लने बिन्दु	३२६५°C, ३५३८.१५ के
300K मा घनत्व	2.329 ग्राम/सेमी³
आन्तरिक प्रतिरोधात्मकता	3.2E5 Ω-सेमी
CAS नम्बर	७४४०-२१-३
EC नम्बर	२३१-१३०-८

CZ वा MCZ एकल क्रिस्टल सिलिकन वेफरपश्चिमी Minmetals (SC) कर्पोरेशनमा n-प्रकार र p-प्रकार चालकता 2, 3, 4, 6, 8 र 12 इन्च व्यास (50, 75, 100, 125, 150, 200 र 300mm) को आकारमा डेलिभर गर्न सकिन्छ। ओरिएन्टेसन <100>, <110>, <111> फोम बक्स वा क्यासेटको प्याकेजमा एज-कट, ल्याप्ड, इच गरिएको र पालिस गरिएको सतह फिनिशको साथ बाहिर कार्टन बक्सको साथ।