एकल क्रिस्टल सिलिकन इन्गट

विवरण

एकल क्रिस्टल सिलिकन इन्गटis सामान्यतया बढेको सही डोपिङ र पुलिङ टेक्नोलोजी Czochralski CZ, चुम्बकीय क्षेत्र प्रेरित Czochralski MCZ र फ्लोटिंग जोन FZ विधिहरूद्वारा ठूलो बेलनाकार इन्गटको रूपमा।सेमीकन्डक्टर उपकरणहरू बनाउन इलेक्ट्रोनिक्स उद्योगमा 300mm सम्म व्यासमा ठूलो बेलनाकार इन्गटहरूको सिलिकन क्रिस्टल वृद्धिको लागि CZ विधि सबैभन्दा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।MCZ विधि CZ विधिको भिन्नता हो जसमा विद्युत चुम्बकद्वारा सिर्जना गरिएको चुम्बकीय क्षेत्र, जसले तुलनात्मक रूपमा कम अक्सिजन एकाग्रता, कम अशुद्धता एकाग्रता, कम विस्थापन र समान प्रतिरोधात्मकता भिन्नता हासिल गर्न सक्छ।FZ विधिले 1000 Ω-cm माथि उच्च प्रतिरोधात्मकता र कम अक्सिजन सामग्रीको साथ उच्च-शुद्धता क्रिस्टलको उपलब्धिलाई सुविधा दिन्छ।

डेलिभरी

वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कर्पोरेशनमा n-प्रकार वा p-प्रकार चालकता भएको एकल क्रिस्टल सिलिकन इन्गट CZ, MCZ, FZ वा FZ NTD 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm र 200mm व्यास (2, 3) को आकारमा डेलिभर गर्न सकिन्छ। , 4, 6 र 8 इन्च), अभिमुखीकरण <100>, <110>, <111> बाहिर कार्टन बक्सको साथ प्लास्टिकको झोलाको प्याकेजमा सतहमा ग्राउन्ड गरिएको, वा सही समाधानमा पुग्न अनुकूलित स्पेसिफिकेशनको रूपमा।

.