ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSb

विवरण

ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSb, जस्ता-ब्लेन्डे जाली संरचना भएको समूह III–V यौगिकहरूको एक अर्धचालक, 6N 7N उच्च शुद्धता ग्यालियम र एन्टिमोनी तत्वहरूद्वारा संश्लेषित गरिन्छ, र LEC विधिद्वारा EPD<1000cm को साथ दिशात्मक रूपमा जमेको पोलीक्रिस्टलाइन इन्गट वा VGF विधिबाट क्रिस्टलमा बढाइन्छ।^-3।GaSb वेफरलाई विद्युतीय मापदण्डहरूको उच्च एकरूपता, अद्वितीय र स्थिर जाली संरचनाहरू, र कम दोष घनत्व, अन्य गैर-धातु यौगिकहरू भन्दा उच्च अपवर्तक सूचकांकको साथ एकल क्रिस्टलीय इन्गटबाट पछि काट्न सकिन्छ।GaSb लाई सटीक वा बन्द अभिविन्यास, कम वा उच्च डोप गरिएको एकाग्रता, राम्रो सतह समाप्त र MBE वा MOCVD एपिटेक्सियल वृद्धिको लागि विस्तृत छनोटको साथ प्रशोधन गर्न सकिन्छ।ग्यालियम एन्टिमोनाइड सब्सट्रेट सबैभन्दा अत्याधुनिक फोटो-ओप्टिक र अप्टोइलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग भइरहेको छ जस्तै फोटो डिटेक्टरहरूको बनावट, इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरू लामो जीवन, उच्च संवेदनशीलता र विश्वसनीयता, फोटोरेसिस्ट कम्पोनेन्ट, इन्फ्रारेड एलईडी र लेजरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू, थर्मल सेल फोटोभोल्टिक। र थर्मो-फोटोभोल्टिक प्रणालीहरू।

डेलिभरी

वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कर्पोरेशनमा ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSb 2” 3” र 4” (50mm, 75mm, 100mm) व्यास, अभिमुखीकरण <111> को आकारमा n-type, p-type र undoped अर्ध-इन्सुलेटिंग चालकतासँग प्रस्ताव गर्न सकिन्छ। वा <100>, र एज-कट, इचेड, पालिश वा उच्च गुणस्तरको एपिटेक्सी तयार फिनिसको वेफर सतह फिनिशको साथ।सबै स्लाइसहरू पहिचानको लागि व्यक्तिगत रूपमा लेजर लेखिएका छन्।यसैबीच, पोलीक्रिस्टलाइन ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSb लम्प पनि उत्तम समाधानको लागि अनुरोधमा अनुकूलित गरिएको छ।

अब सोधपुछ

विवरणहरू

ट्यागहरू

प्राविधिक विशिष्टता

ग्यालियम एन्टिमोनाइड

GaSb

ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSbसब्सट्रेट सबैभन्दा अत्याधुनिक फोटो-ओप्टिक र अप्टोइलेक्ट्रोनिक अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग भइरहेको छ जस्तै फोटो डिटेक्टरहरूको बनावट, इन्फ्रारेड डिटेक्टरहरू लामो जीवन, उच्च संवेदनशीलता र विश्वसनीयता, फोटोरेसिस्ट कम्पोनेन्ट, इन्फ्रारेड एलईडी र लेजरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू, थर्मल फोटोभोल्टिक सेल र थर्मो। - फोटोभोल्टिक प्रणाली।

	वस्तुहरू	मानक विशिष्टता
1	साइज	2"	3"	4"
2	व्यास मिमी	५०.५±०.५	७६.२±०.५	१००±०.५
3	वृद्धि विधि	LEC	LEC	LEC
4	चालकता	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	अभिमुखीकरण	(१००)±०.५°, (१११)±०.५°
6	मोटाई μm	५००±२५	600±25	८००±२५
7	अभिमुखीकरण फ्लैट मिमी	१६±२	22±1	३२.५±१
8	पहिचान फ्लैट मिमी	८±१	11±1	18±1
9	गतिशीलता cm2/Vs	200-3500 वा आवश्यकता अनुसार
10	वाहक एकाग्रता सेमी-3	(1-100) E17 वा आवश्यकता अनुसार
11	TTV μm अधिकतम	15	15	15
12	बो μm अधिकतम	15	15	15
13	वार्प μm अधिकतम	20	20	20
14	विस्थापन घनत्व सेमी-2 अधिकतम	५००	१०००	२०००
15	सतह समाप्त	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	प्याकिङ	एकल वेफर कन्टेनर एल्युमिनियम झोलामा बन्द।

रैखिक सूत्र	GaSb
आणविक वजन	१९१.४८
क्रिस्टल संरचना	जस्ता मिश्रण
उपस्थिति	खैरो क्रिस्टलीय ठोस
पग्लिने बिन्दु	७१० डिग्री सेल्सियस
उम्लने बिन्दु	N/A
300K मा घनत्व	५.६१ ग्राम/सेमी³
ऊर्जा ग्याप	०.७२६ eV
आन्तरिक प्रतिरोधात्मकता	1E3 Ω-सेमी
CAS नम्बर	12064-03-8
EC नम्बर	२३५-०५८-८

ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSbWestern Minmetals (SC) Corporation मा n-type, p-type र 2” 3” र 4” (50mm, 75mm, 100mm) व्यास, अभिमुखीकरण <111> वा <100 को आकारमा अनडप गरिएको अर्ध-इन्सुलेट चालकता प्रदान गर्न सकिन्छ। >, र as-cut, etched, पालिश वा उच्च गुणस्तरको epitaxy तयार फिनिसको वेफर सतह फिनिशको साथ।सबै स्लाइसहरू पहिचानको लागि व्यक्तिगत रूपमा लेजर लेखिएका छन्।यसैबीच, पोलीक्रिस्टलाइन ग्यालियम एन्टिमोनाइड GaSb लम्प पनि उत्तम समाधानको लागि अनुरोधमा अनुकूलित गरिएको छ।