Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaxial (EPI) सिलिकन वेफर

विवरण

एपिटेक्सियल सिलिकन वेफरवा EPI सिलिकन वेफर, अर्धचालक क्रिस्टल तहको वेफर हो जुन सिलिकन सब्सट्रेटको पालिश गरिएको क्रिस्टल सतहमा एपिटेक्सियल वृद्धिद्वारा जम्मा गरिन्छ।एपिटेक्सियल तह एकरूप एपिटेक्सियल वृद्धिद्वारा सब्सट्रेटको रूपमा समान सामग्री हुन सक्छ, वा विषम एपिटेक्सियल वृद्धिद्वारा विशिष्ट वांछनीय गुणस्तरको एक विदेशी तह, जसले एपिटेक्सियल वृद्धि प्रविधि अपनाउने रासायनिक वाष्प डिपोजिसन CVD, तरल चरण एपिटेक्सी LPE, साथै आणविक बीम समावेश गर्दछ। कम दोष घनत्व र राम्रो सतह खुरदना को उच्चतम गुणस्तर प्राप्त गर्न epitaxy MBE।सिलिकन एपिटेक्सियल वेफर्स मुख्यतया उन्नत सेमीकन्डक्टर उपकरणहरू, उच्च एकीकृत अर्धचालक तत्वहरू ICs, असन्तुलित र पावर उपकरणहरूको उत्पादनमा प्रयोग गरिन्छ, डायोड र ट्रान्जिस्टर वा IC को लागि सब्सट्रेट जस्तै द्विध्रुवी प्रकार, MOS र BiCMOS उपकरणहरूको लागि पनि प्रयोग गरिन्छ।यसबाहेक, मल्टिपल लेयर एपिटेक्सियल र बाक्लो फिल्म EPI सिलिकन वेफरहरू प्राय: माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स, फोटोनिक्स र फोटोभोल्टिक्स अनुप्रयोगमा प्रयोग गरिन्छ।

डेलिभरी

Epitaxial Silicon Wafers वा EPI Silicon Wafers in Western Minmetals (SC) कर्पोरेशन 4, 5 र 6 इन्च (100mm, 125mm, 150mm व्यास), अभिमुखीकरण <100>, <111>, epilayer प्रतिरोधकता <1ohm को आकारमा प्रस्ताव गर्न सकिन्छ। -सेमी वा माथि 150ohm-cm, र epilayer मोटाई <1um वा 150um सम्म, Eched वा LTO उपचारको सतह फिनिशमा विभिन्न आवश्यकताहरू पूरा गर्न, बाहिर कार्टन बक्सको साथ क्यासेटमा प्याक गरिएको, वा उत्तम समाधानको लागि अनुकूलित विशिष्टताको रूपमा। ।

अब सोधपुछ

विवरणहरू

ट्यागहरू

प्राविधिक विशिष्टता

एपि सिलिकन वेफर

एपिटेक्सियल सिलिकन वेफर्सवा पश्चिमी Minmetals (SC) कर्पोरेशनमा EPI सिलिकन वेफर 4, 5 र 6 इन्च (100mm, 125mm, 150mm व्यास), अभिमुखीकरण <100>, <111>, <1ohm-cm को epilayer resistivity संग प्रस्ताव गर्न सकिन्छ। 150ohm-cm सम्म, र epilayer मोटाई <1um वा 150um सम्म, Eched वा LTO उपचारको सतह फिनिशमा विभिन्न आवश्यकताहरू पूरा गर्न, बाहिर कार्टन बक्सको साथ क्यासेटमा प्याक गरिएको, वा उत्तम समाधानको लागि अनुकूलित विशिष्टताको रूपमा।

प्रतीक	Si
परमाणु संख्या	14
परमाणु वजन	२८.०९
तत्व कोटि	मेटालोइड
समूह, अवधि, ब्लक	14, 3, P
क्रिस्टल संरचना	हीरा
रङ	गाढा खैरो
पग्लिने बिन्दु	1414°C, 1687.15 K
उम्लने बिन्दु	३२६५°C, ३५३८.१५ के
300K मा घनत्व	2.329 ग्राम/सेमी³
आन्तरिक प्रतिरोधात्मकता	3.2E5 Ω-सेमी
CAS नम्बर	७४४०-२१-३
EC नम्बर	२३१-१३०-८

छैन।	वस्तुहरू	मानक विशिष्टता
1	सामान्य विशेषताहरू
१-१	साइज	4"	5"	6"
१-२	व्यास मिमी	१००±०.५	१२५±०.५	150±0.5
१-३	अभिमुखीकरण	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	एपिटेक्सियल लेयर विशेषताहरू
२-१	वृद्धि विधि	CVD	CVD	CVD
२-२	चालकता प्रकार	P वा P+, N/ वा N+	P वा P+, N/ वा N+	P वा P+, N/ वा N+
२-३	मोटाई μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
२-४	मोटाई एकरूपता	≤3%	≤3%	≤3%
२-५	प्रतिरोधात्मकता Ω-सेमी	०.१-५०	०.१-५०	०.१-५०
२-६	प्रतिरोधात्मक एकरूपता	≤3%	≤५%	-
२-७	विस्थापन सेमी-2	<१०	<१०	<१०
२-८	सतह गुणस्तर	कुनै चिप, धुंध वा सुन्तलाको बोक्रा बाँकी रहँदैन, आदि।
3	सब्सट्रेट विशेषताहरू ह्यान्डल गर्नुहोस्
३-१	वृद्धि विधि	CZ	CZ	CZ
३-२	चालकता प्रकार	P/N	P/N	P/N
३-३	मोटाई μm	५२५-६७५	५२५-६७५	५२५-६७५
३-४	मोटाई एकरूपता अधिकतम	3%	3%	3%
३-५	प्रतिरोधात्मकता Ω-सेमी	चाहिए अनुसार	चाहिए अनुसार	चाहिए अनुसार
३-६	प्रतिरोधात्मक एकरूपता	5%	5%	5%
३-७	TTV μm अधिकतम	10	10	10
३-८	बो μm अधिकतम	30	30	30
३-९	वार्प μm अधिकतम	30	30	30
३-१०	EPD cm-2 अधिकतम	१००	१००	१००
३-११	किनारा प्रोफाइल	गोलाकार	गोलाकार	गोलाकार
३-१२	सतह गुणस्तर	कुनै चिप, धुंध वा सुन्तलाको बोक्रा बाँकी रहँदैन, आदि।
३-१३	ब्याक साइड फिनिस	Etched वा LTO (5000±500Å)
4	प्याकिङ	भित्र क्यासेट, बाहिर कार्टन बक्स।

सिलिकन एपिटेक्सियल वेफर्समुख्य रूपमा उन्नत अर्धचालक यन्त्रहरू, उच्च एकीकृत अर्धचालक तत्वहरू ICs, असन्तुलित र पावर उपकरणहरूको उत्पादनमा प्रयोग गरिन्छ, डायोड र ट्रान्जिस्टर वा IC को लागि सब्सट्रेट जस्तै द्विध्रुवी प्रकार, MOS र BiCMOS उपकरणहरूको लागि पनि प्रयोग गरिन्छ।यसबाहेक, मल्टिपल लेयर एपिटेक्सियल र बाक्लो फिल्म EPI सिलिकन वेफरहरू प्राय: माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स, फोटोनिक्स र फोटोभोल्टिक्स अनुप्रयोगमा प्रयोग गरिन्छ।