उच्च शुद्धता ग्यालियम

विवरण

उच्च शुद्धता ग्यालियम, 99.999%, 99.9999% र 99.99999% 5N 6N 7N, नरम धातु, तरल अवस्थामा चाँदीको सेतो र ठोस अवस्थामा नीलो सेतो, यसको क्षरणलाई कोठाको तापक्रममा अक्सिजन र पानीले लगभग असर गर्दैन, उच्च तापक्रममा मात्र अक्सिडाइज हुन्छ, र प्रतिक्रिया गर्दछ। बिस्तारै पातलो एसिड संग।धातु ग्यालियम 99.999%, 99.9999% र 99.99999% 5N 6N 7N दिशात्मक क्रिस्टलाइजेशन विधिको शुद्धीकरण प्रक्रियाद्वारा शुद्ध हुन्छ।पश्चिमी Minmetals (SC) कर्पोरेशनमा उच्च शुद्धता ग्यालियम 99.999%, 99.9999% र 99.99999% 5N 6N 7N 100g, 500g वा 1000g वजनको कन्टेनर आकारको रूपमा डेलिभर गर्न सकिन्छ, जुन सुक्खा ढुवानीको लागि उपयुक्त छ। बरफ सुरक्षा, वा सही समाधान पुग्न अनुकूलित विनिर्देशको रूपमा।

अनुप्रयोगहरू

उच्च शुद्धता ग्यालियम मुख्यतया III-V कम्पाउन्ड अर्धचालकहरू जस्तै ग्यालियम आर्सेनाइड GaAs, Gallium Phosphide GaP, Gallium Antimonide GaSb, नीलो ग्यालियम नाइट्राइड GaN, माइक्रोवेभ सर्किट, उच्च शुद्धता मिश्र धातु, अक्साइड अर्ध-कन्डक्टर र LED सेमी-कन्डक्टरको निर्माणमा प्रयोग गरिन्छ। आणविक रिएक्टरमा वाहक र आणविक बीम एपिटेक्सी (MBE) स्रोत सामग्रीको रूपमा, र जर्मेनियम र सिलिकन एकल क्रिस्टल वृद्धिको डोपन्टको रूपमा।

अब सोधपुछ

विवरणहरू

ट्यागहरू

प्राविधिक विशिष्टता

Ga

परमाणु नं.	31
परमाणु वजन	६७.२
घनत्व	५.९१ ग्राम/सेमी ३
पग्लिने बिन्दु	२९.७८ डिग्री सेल्सियस
उम्लने बिन्दु	2403°C
CAS नम्बर	७४४०-५५-३
HS कोड	८११२.९२९०.९९

कमोडिटी	मानक विशिष्टता
	शुद्धता		अशुद्धता (ICP-MS वा GDMS परीक्षण रिपोर्ट, PPM अधिकतम प्रत्येक)
उच्च शुद्धता ग्यालियम	5N	९९.९९९%	Zn/Ca/Al/Ni/In 0.5, Mg/Mn 0.6, Si/Hg 1.0, Sn/Fe 0.8, Cu 1.5, Pb 1.8	कुल ≤१०
	6N	९९.९९९९%	Zn/Mg/Pb/Sn/Fe ०.१, Si ०.२, Cu/Al/Ni/Mn/Cr ०.०५	कुल ≤१.०
	7N	९९.९९९९९%	Zn/Al/Ni/In ०.००१, Mn ०.००३, Cu/Ca/Mg/Pb/Sn ०.००५, Si ०.०५	कुल ≤ ०.१
	साइज		कन्टेनरको आकारमा, 100g/500g/1000g प्रति बोतल
	प्याकिङ		प्लास्टिकको बोतल वा कम्पोजिट झोलामा नीलो बरफ, कार्टोन बक्स वा फलामका ड्रमहरू बाहिर।

उच्च शुद्धता ग्यालियम5N 6N 7N पश्चिमी मिनमेटल्स (SC) कर्पोरेशनमा 99.999%, 99.9999% र 99.99999% शुद्धताको साथ 100g, 500g वा 1000g वजनको कन्टेनर आकारमा डेलिभर गर्न सकिन्छ, जुन सुरक्षा र सुक्खा बरफको सुरक्षाको लागि उपयुक्त यातायातको लागि प्याक गरिएको छ। वा सही समाधान पुग्न अनुकूलित विनिर्देशको रूपमा।

उच्च शुद्धता ग्यालियम99.999%, 99.9999% र 99.99999% मुख्य रूपमा III-V कम्पाउन्ड अर्धचालकहरूको निर्माणमा प्रयोग गरिन्छ जस्तै ग्यालियम आर्सेनाइड GaAs, Gallium Phosphide GaP, Gallium Antimonide GaSb, नीलो ग्यालियम नाइट्राइड ग्यान, माइक्रोकोनडक्ट, उच्च ग्यालियम नाइट्राइड ग्यान, उच्च र LED चिप, आणविक रिएक्टरमा थर्मल क्यारियर र आणविक बीम एपिटेक्सी (MBE) स्रोत सामग्रीको रूपमा, र जर्मेनियम सिंगल क्रिस्टल र सिलिकन एकल क्रिस्टल वृद्धिको डोपन्टको रूपमा।