इन्डियम एन्टिमोनाइड InSb

विवरण

Indium Antimonide InSb, जस्ता-ब्लेन्डे जाली संरचना भएको समूह III–V क्रिस्टलीय यौगिकहरूको एक अर्धचालक, 6N 7N उच्च शुद्धता इन्डियम र एन्टिमोनी तत्वहरूद्वारा संश्लेषित गरिन्छ, र VGF विधि वा लिक्विड इनक्याप्सुलेटेड Czochralski LEC विधिबाट बहु-जोन रिफाइन्ड पोलिकोट, पोलिकोट, लिक्विड इन्क्याप्सुलेटेड Czochralski LEC विधिद्वारा उगाइन्छ। जसलाई काटेर वेफरमा बनाउन सकिन्छ र पछि ब्लक गर्न सकिन्छ।InSb कोठाको तापक्रममा 0.17eV को साँघुरो ब्यान्ड ग्याप, 1–5μm तरंग लम्बाइमा उच्च संवेदनशीलता र अल्ट्रा उच्च हल गतिशीलता भएको प्रत्यक्ष ट्रान्जिसन अर्धचालक हो।इन्डियम एन्टिमोनाइड InSb n-प्रकार, p-प्रकार र वेस्टर्न मिनमेटल्स (SC) कर्पोरेशनमा अर्ध-इन्सुलेट चालकता 1″ 2″ 3″ र 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) व्यास, अभिमुखीकरण < को आकारमा प्रस्ताव गर्न सकिन्छ। 111> वा <100>, र as-cut, lapped, etched र पालिश गरिएको वेफर सतह फिनिशको साथ।इन्डियम एन्टिमोनाइड InSb लक्ष्य Dia.50-80mm अन-डोप गरिएको एन-टाइपको साथ पनि उपलब्ध छ।यस बीचमा, अनियमित लम्पको साइज भएको पोलिक्रिस्टलाइन इन्डियम एन्टिमोनाइड InSb (मल्टिक्रिस्टल InSb), वा खाली (15-40) x (40-80)mm, र D30-80mm को राउन्ड बार पनि सही समाधानको लागि अनुरोधमा अनुकूलित गरिन्छ।

आवेदन

इन्डियम एन्टिमोनाइड InSb धेरै अत्याधुनिक कम्पोनेन्टहरू र उपकरणहरूको उत्पादनको लागि एक आदर्श सब्सट्रेट हो, जस्तै उन्नत थर्मल इमेजिङ समाधान, FLIR प्रणाली, हल तत्व र चुम्बकीय प्रतिरोध प्रभाव तत्व, इन्फ्रारेड होमिङ मिसाइल मार्गदर्शन प्रणाली, उच्च-उत्तरदायी इन्फ्रारेड फोटोडेटेक्टर सेन्सर। , उच्च परिशुद्धता चुम्बकीय र रोटरी प्रतिरोधी सेन्सर, फोकल प्लानर एरे, र टेराहर्ट्ज विकिरण स्रोतको रूपमा र इन्फ्रारेड खगोलीय अन्तरिक्ष टेलिस्कोप आदिमा पनि अनुकूलित।

अब सोधपुछ

विवरणहरू

ट्यागहरू

प्राविधिक विशिष्टता

इन्डियम एन्टिमोनाइड

InSb

इन्डियम एन्टिमोनाइड सब्सट्रेट(InSb सब्सट्रेट, InSb वेफर) पश्चिमी Minmetals (SC) कर्पोरेशनमा n-type वा p-type 1" 2" 3" र 4" (30, 50, 75 र 100mm) व्यास, अभिमुखीकरण <111> वा <100> को आकारमा प्रस्ताव गर्न सकिन्छ। ल्याप्ड, इचेड, पालिश फिनिसको वेफर सतहको साथ। इन्डियम एन्टिमोनाइड सिंगल क्रिस्टल बार (InSb मोनोक्रिस्टल बार) पनि अनुरोधमा आपूर्ति गर्न सकिन्छ।

इन्डियम एन्टिमोनाइडPओलिक्रिस्टलाइन (InSb Polycrystalline, वा multicrystal InSb) अनियमित लम्पको आकारको साथ, वा खाली (15-40)x (40-80) मिमी पनि सही समाधानको लागि अनुरोधमा अनुकूलित गरिन्छ।

यसैबीच, अन-डोप गरिएको एन-टाइपको साथ Dia.50-80mm को इन्डियम एन्टिमोनाइड लक्ष्य (InSb लक्ष्य) पनि उपलब्ध छ।

छैन।	वस्तुहरू	मानक विशिष्टता
1	इन्डियम एन्टिमोनाइड सब्सट्रेट	2"	3"	4"
2	व्यास मिमी	५०.५±०.५	७६.२±०.५	१००±०.५
3	वृद्धि विधि	LEC	LEC	LEC
4	चालकता	P-type/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	अभिमुखीकरण	(१००)±०.५°, (१११)±०.५°
6	मोटाई μm	५००±२५	600±25	८००±२५
7	अभिमुखीकरण फ्लैट मिमी	१६±२	22±1	३२.५±१
8	पहिचान फ्लैट मिमी	८±१	11±1	18±1
9	गतिशीलता cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 वा ≤8E13 P/Ge-doped
10	वाहक एकाग्रता सेमी-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 वा <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm अधिकतम	15	15	15
12	बो μm अधिकतम	15	15	15
13	वार्प μm अधिकतम	20	20	20
14	विस्थापन घनत्व सेमी-2 अधिकतम	50	50	50
15	सतह समाप्त	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	प्याकिङ	एकल वेफर कन्टेनर एल्युमिनियम झोलामा बन्द।

छैन।	वस्तुहरू	मानक विशिष्टता
छैन।	वस्तुहरू	Iएनडियम एन्टिमोनाइड पॉलीक्रिस्टलाइन	इन्डियम एन्टिमोनाइड लक्ष्य
1	चालकता	अनडप गरिएको	अनडप गरिएको
2	वाहक एकाग्रता सेमी^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	गतिशीलता सेमी²/वि	5-7E5	६.९-७.९ई४
4	साइज	15-40x40-80 मिमी	D (50-80) मिमी
5	प्याकिङ	कम्पोजिट एल्युमिनियम झोलामा, बाहिर कार्टन बक्स

रैखिक सूत्र	InSb
आणविक वजन	२३६.५८
क्रिस्टल संरचना	जस्ता मिश्रण
उपस्थिति	गाढा खैरो धातु क्रिस्टल
पग्लिने बिन्दु	५२७ डिग्री सेल्सियस
उम्लने बिन्दु	N/A
300K मा घनत्व	५.७८ ग्राम/सेमी³
ऊर्जा ग्याप	०.१७ eV
आन्तरिक प्रतिरोधात्मकता	4E(-3) Ω-सेमी
CAS नम्बर	१३१२-४१-०
EC नम्बर	215-192-3

इन्डियम एन्टिमोनाइड InSbवेफर धेरै अत्याधुनिक कम्पोनेन्टहरू र उपकरणहरूको उत्पादनको लागि एक आदर्श सब्सट्रेट हो, जस्तै उन्नत थर्मल इमेजिङ समाधान, FLIR प्रणाली, हल तत्व र चुम्बकीय प्रतिरोध प्रभाव तत्व, इन्फ्रारेड होमिङ मिसाइल मार्गदर्शन प्रणाली, उच्च-उत्तरदायी इन्फ्रारेड फोटोडेटेक्टर सेन्सर, उच्च। -परिशुद्धता चुम्बकीय र रोटरी प्रतिरोधात्मक सेन्सर, फोकल प्लानर एरे, र टेराहर्ट्ज विकिरण स्रोतको रूपमा र इन्फ्रारेड खगोलीय अन्तरिक्ष टेलिस्कोप आदिमा पनि अनुकूलित।